Plošča iz silicijevega karbida Stroj za dvojno brušenje površin Rešitev

Model stroja: brusilnik z dvojnim diskom YHDM580B – ciklična metoda brušenja

Obdelovanec: plošča iz silicijevega karbida (SiC)

Zahteva: 7.150±0.002mm，Ravnost/vzporednost＜0.01mm，Hrapavost Ra＜0.9

Silicijev karbid (SiC) je anorganski material z mehanskimi, termičnimi, električnimi in kemičnimi lastnostmi, zaradi katerih se široko uporablja v razvitih panogah. Vendar pa koristne lastnosti SiC keramike, kot so visoka trdota, visoka trdnost, odpornost proti obrabi, izjemna krhkost in kemična stabilnost, otežujejo in dražijo obdelavo SiC s konvencionalnimi in nekonvencionalnimi metodami obdelave. Diamantno brusno kolo proizvaja visok MRR, ne vpliva na morfologijo in končno obdelavo površine. Med zmogljivostjo brušenja SiC so lastnosti materiala koluta in obdelovanca pomemben dejavnik za napovedovanje hrapavosti površine. V računalniško podprtem numerično krmiljenem brusilnem stroju je z uporabo diamantnih orodij s kovinsko vezjo nastala nizka povzročena škoda. Mikrostrukturna heterogenost bistveno poveča hitrosti vrtanja in brušenja SiC. Povečanje dinamične lomne žilavosti je povzročilo visoko MRR SiC z boljšo končno obdelavo površine, doseženo v procesu brušenja pri visoki hitrosti. Pri metodah brušenja z uporabo vezanih abrazivnih kolutov je nizka površinska hrapavost in visoka natančnost oblike dosežena na ogledalih SiC. Kombinacija visoke hitrosti obdelovanca in hitrosti dvignjenega brusa lahko zmanjša fazno transformacijo, opaženo med postopkom valjastega brušenja pri visoki hitrosti.